uvled原理是什么?什么是1UVLED消耗功率?
時間:2020-12-05 11:50來源:未知點擊: 次
uvled原理是什么?什么是1
uvled消耗功率?
1
UVLED發(fā)光機原理:PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢壘。 當
正向偏置電壓時勢壘減小時,P和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴散。 由于
電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率,因此大量電子將擴散到P區(qū),從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價帶中的空穴復合,并且在復合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。
2.
UVLED發(fā)光效率:通常稱為組件的外部
量子效率,是組件內(nèi)部的
量子效率與組件的提取效率的乘積。 所謂的模塊內(nèi)部
量子效率實際上就是模塊本身的電光轉(zhuǎn)換效率,這主要與模塊本身的特性(例如能帶,模塊材料的缺陷和雜質(zhì))有關。),勢壘晶體的組成和模塊的結(jié)構(gòu)。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部生成的光子數(shù),在組件自身被吸收,折射和反射后,可以實際在組件外部進行測量。 因此,與提取效率相關的因素包括成分材料本身的吸收,成分的幾何結(jié)構(gòu),成分和包裝材料的
折射率差以及成分結(jié)構(gòu)的散射特性。 組件的內(nèi)部
量子效率與組件的提取效率的乘積是整個組件的發(fā)光效果,即組件的外部
量子效率。 早期組件開發(fā)的重點是改善其內(nèi)部
量子效率。 主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結(jié)構(gòu),使電能不易轉(zhuǎn)化為熱量,從而間接提高了
UVLED的發(fā)光效率,從而獲得了70%的剩余能量。 正確的理論內(nèi)部
量子效率,但是這樣的內(nèi)部
量子效率幾乎接近理論極限。 在這樣的條件下,僅通過增加模塊內(nèi)部
量子效率就不可能增加模塊的總光量,因此提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 目前的方法主要是:晶粒形狀的變化
TIP結(jié)構(gòu),表面粗糙化技術。
3,
UVLED電氣特性:電流控制裝置,
負載特性UI曲線類似于PN結(jié),正向方向的很小變化
導通電壓會引起正向電流(指數(shù)級)的大變化,
反向漏電流非常小,
反向擊穿電壓。 在實際使用中,應該選擇。
UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小,
負溫度系數(shù)。
UVLED消耗功率,其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能,這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量,從而提高了結(jié)溫。 散發(fā)的熱量(功率)可以表示為。
4,
UVLED光學特性:
UVLED提供大寬度的單色光。 由于半導體的能隙隨著溫度的升高而減小,因此其發(fā)射的峰值波長會隨著溫度的升高而升高,也就是說,光譜的紅移
溫度系數(shù)為+ 2?3A /。
UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加,發(fā)光亮度也大約增加。 另外,發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關。 當環(huán)境溫度高時,復合效率降低并且發(fā)光強度降低。
5,
UVLED熱學特性:小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高,
UVLED的主波長將發(fā)生紅移,亮度將降低,并且光的均勻性和均勻性將降低。 尤其是,點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設計非常重要。
6,
UVLED壽命:
UVLED長時間工作會導致老化,特別是對于高功率的
UVLED,光衰的問題更加嚴重。 在測量
UVLED的壽命時,僅將燈的損壞視為
UVLED壽命的終點是不夠的。LED的壽命應通過
UVLED的光衰減百分比來指定,例如35%,這更有意義。
7.大功率
UVLED包裝:主要考慮散熱和發(fā)光。 關于散熱,請使用
銅基熱襯,然后連接至
鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好,性價比更高。 在發(fā)光方面,采用倒裝芯片技術,在底部和側(cè)面增加反射面以反射浪費的光能,從而可獲得更多的消光光。
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